ABB非对称集成门极换流晶闸管5SHY35L4512 3BHE014105R0001/5SXE08-0166

描述

非对称集成门极换流晶闸管(IGCT,Integrated Gate-Commutated Thyristor)是一种高性能的电力电子器件,它的设计旨在结合晶闸管(thyristor)和摩斯场效应管(MOSFET)的优点,以提供低压降、高效率和高可靠性的特性。

非对称集成门极换流晶闸管(IGCT)的工作原理:

基本结构与组成:

IGCT结合了门极换向晶闸管(GCT)和硬门极驱动电路。
GCT又是在CTO(可能指的是某种晶闸管芯片)芯片上引入缓冲层、可穿透发射区和集成续流快速恢复二极管结构形成的。

工作原理:

导通状态:

当门极电压正偏时,GCT像晶闸管一样产生正反馈,电流很大,通态压降很低。此时,IGCT处于导通状态,允许电流通过。

阻断状态:

当门极电压反偏时,GCT阻止阴极注入电流,全部阳极电流瞬间(通常在微秒级别,如1μs)强制转化为门极电流。此时,IGCT由通态变为断态,阻断了电流的通过。

开关速度:

IGCT具有快速的开通和关断速度,这得益于其内部结构和优化的门极驱动电路设计。这使得IGCT能够实现高频率的开关操作。

特性与优势:

高可靠性:

由于采用了集成门极驱动器,减少了外部元件数量,提高了系统的可靠性。

低损耗:

由于其低导通损耗和低开关损耗,使得IGCT在高压大电流的应用场景下具有显著的优势。

低驱动电流:

较小的驱动电流使得IGCT的驱动电路更为简单,降低了成本。

非对称集成门极换流晶闸管(IGCT)的特点:

结构与设计特点:

非对称结构:

设计考虑原始高阻单晶硅材料参数的选择及基区结构设计,实现高阻断电压、低饱和压降及低漏电流特性。

门极驱动电路:

引入专门的门级驱动电路,优化晶闸管的导通和关断控制,提升性能。

低电感连接:

GCT芯片、反并联二极管和门极驱动电路以低电感方式连接,提高响应速度。

电气性能特点:

正向阻断电压高:

确保在高电压环境下的稳定工作。

高温漏电流小:

在高温条件下保持较低的漏电流,提高效率和可靠性。

饱和压降低:

减少能量损耗,提高系统效率。

开通门限电压高:

保证稳定的开通特性。

阳极脉冲峰值电流大:

适应大电流应用场合。

高di/dt和dv/dt:

提升动态响应能力。

抗辐射能力强:

适用于恶劣环境。

控制特点:

光触发功能:

具有1:1的驱动比,提高控制精度和响应速度。

RC吸收和保护功能:

增强器件的保护能力,延长使用寿命。

应用特点:

高可靠性:

集成度高,减少了外部元件数量,提高系统可靠性。

低损耗:

导通损耗和开关损耗均较低,提升系统效率。

快速响应:

具有快速的开通和关断速度,适用于高频应用。

其他特点:

封装与散热:

设计简单,降低了制造成本,同时保证了良好的散热性能。

可扩展性:

可串联应用,满足更大功率的需求。

 

非对称集成门极换流晶闸管(IGCT)的应用领域:

轨道交通领域:

IGCT在轨道交通领域的应用尤为成熟,特别是在高速列车的牵引系统中,用于提供高效率的功率转换和电机控制
例如,ABB针对中压传动领域的ACS系列变频器以及针对风力发电领域的PCS系列换流器均采用IGCT作为开关器件。

直流电网:

随着直流电网的不断发展,IGCT因其高可靠性、高效率和经济性,在直流电网中开始大规模应用。
清华大学电机系和能源互联网研究院直流研究中心科研团队成功研制出直流电网用新一代4500V/5000A IGCT-Plus器件,并实现了多项直流电网工程应用。

交流输电系统:

在交流输电系统中,IGCT能够实现电流的可靠控制,用于调节电流和电压,提升电力传输的效率。

电机控制:

在电动机的启动、调速和停止过程中,IGCT能够实现对电动机的高效控制,确保电机的稳定运行。

逆变器和直流电源:

IGCT在逆变器和直流电源中用于实现高频开关和能量传输,提高能源转换效率。

电力电子设备:

在各种电力电子设备中,IGCT作为关键元件,提供稳定的电力控制和传输功能。

电动汽车和电能储存器:

在电动汽车领域,IGCT可用于电池充电系统的控制,实现高效的电能转换。
在电能储存器中,IGCT能够确保电能的稳定储存和释放。

其他应用领域:

除了上述应用领域外,IGCT还可用于电力系统中的保护装置,如过电流保护、过压保护等。
在电焊领域,IGCT可用于电焊机的控制,实现对电流的调节。

总结来说,

非对称集成门极换流晶闸管(IGCT)凭借其高性能、高可靠性和广泛的应用领域,在电力电子领域发挥着越来越重要的作用。随着技术的不断进步和应用的不断拓展,IGCT将在未来电力电子领域的发展中发挥更大的作用。

 

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